[发明专利]制作半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910198489.0 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110660736A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;彭成毅;王盈斌;游国丰;林大文;沙哈吉·B·摩尔;陈建豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种制作半导体装置的方法，该方法与结构以用于掺杂p型金属氧化物半导体及/或n型金属氧化物半导体鳍状场效晶体管装置的源极/漏极区。在一些实施例中，方法包括：提供基板，其包括自基板延伸的鳍状物。在一些例子中，鳍状物包括通道区，多个源极/漏极区与通道区相邻并位于通道区的两侧上，栅极结构位于通道区上，以及主要间隔物位于栅极结构的侧壁上。在一些实施例中，形成多个接点开口，以提供通路至源极/漏极区，其中形成接点开口的步骤可蚀刻主要间隔物的一部分。在形成接点开口之后，可进行间隔物沉积与蚀刻工艺。在一些例子中，在进行间隔物沉积与蚀刻工艺之后，形成硅化物层于源极/漏极区上并接触源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区 间隔物 通道区 开口 蚀刻工艺 栅极结构 鳍状物 基板 沉积 金属氧化物半导体 鳍状场效晶体管 蚀刻 半导体装置 硅化物层 掺杂p型 侧壁 延伸 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体装置的方法，包括：/n提供一基板，其包括自该基板延伸的一鳍状物，其中该鳍状物包括一通道区，其中多个源极/漏极区与该通道区相邻并位于该通道区的两侧上，其中一栅极结构位于该通道区上，以及其中一主要间隔物位于该栅极结构的侧壁上；/n形成多个接点开口，以提供通路至该些源极/漏极区，其中形成该些接点开口的步骤蚀刻该主要间隔物的一部分；/n在形成该些接点开口之后，进行一间隔物沉积与蚀刻工艺；以及/n在进行该间隔物沉积与蚀刻工艺之后，形成一硅化物层于该些源极/漏极区上并接触该些源极/漏极区。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910198489.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于介电层的应力调制
- 下一篇：集成电路结构的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
