[发明专利]制作半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910198489.0 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110660736A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;彭成毅;王盈斌;游国丰;林大文;沙哈吉·B·摩尔;陈建豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区 间隔物 通道区 开口 蚀刻工艺 栅极结构 鳍状物 基板 沉积 金属氧化物半导体 鳍状场效晶体管 蚀刻 半导体装置 硅化物层 掺杂p型 侧壁 延伸 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体装置的方法，包括：
提供一基板，其包括自该基板延伸的一鳍状物，其中该鳍状物包括一通道区，其中多个源极/漏极区与该通道区相邻并位于该通道区的两侧上，其中一栅极结构位于该通道区上，以及其中一主要间隔物位于该栅极结构的侧壁上；
形成多个接点开口，以提供通路至该些源极/漏极区，其中形成该些接点开口的步骤蚀刻该主要间隔物的一部分；
在形成该些接点开口之后，进行一间隔物沉积与蚀刻工艺；以及
在进行该间隔物沉积与蚀刻工艺之后，形成一硅化物层于该些源极/漏极区上并接触该些源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
