[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201910173012.7 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110137133A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的的制作方法，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；研磨所述介质隔离层；依次刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述介质隔离层和所述氮化硅层直到所述半导体结构的表面形成接触孔。在本发明提供的半导体器件的制作方法中，减少了在掩膜层上单独打孔这一步骤，因此，可以减少一层光罩，从而减少了材料和工时，同时，本发明形成的接触孔仍然可以减少掩膜层对半导体结构表面的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 半导体器件 介质隔离层 半导体结构表面 浅沟槽隔离结构 氮化硅层 接触孔 掩膜层 衬底 制作 表面形成 研磨 打孔 光罩 刻蚀 源区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；研磨所述介质隔离层；依次刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述介质隔离层和所述氮化硅层直到所述半导体结构的表面形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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