[发明专利]半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的的制作方法，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；研磨所述介质隔离层；依次刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述介质隔离层和所述氮化硅层直到所述半导体结构的表面形成接触孔。在本发明提供的半导体器件的制作方法中，减少了在掩膜层上单独打孔这一步骤，因此，可以减少一层光罩，从而减少了材料和工时，同时，本发明形成的接触孔仍然可以减少掩膜层对半导体结构表面的应力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

半导体器件制作过程中，硅表面形成的氮化硅会产生应力，这个应力对硅表面会有影响，因此，需要减少氮化硅对硅表面的应力的影响。现有技术中，通过在氮化硅层上打孔，从而减少氮化硅的应力。具体步骤是，在硅表面形成氮化硅层之后，通过一层光罩，在氮化硅表面形成多个小孔，但是额外的增加这个步骤和增加这个光罩，非常浪费材料和时间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制作方法，能节省材料并且能释放掩膜层应力。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；

在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；

研磨所述介质隔离层；

依次刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述介质隔离层和所述氮化硅层直到所述半导体结构的表面形成接触孔。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，所述有源区包括：P型半导体结构、位于所述P型半导体结构上的外延层和位于所述外延层上的N形半导体结构。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，所述接触孔的个数为多个。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，形成接触孔之后，所述半导体器件的制作方法还包括：在所述介质隔离层上形成一金属层。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，形成一金属层后，所述半导体器件的制作方法还包括：刻蚀所述金属层形成小孔，所述小孔与所述接触孔的位置、形状和大小均一致。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，所述介质隔离层的材料为正硅酸乙酯。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，所述金属层的材料为铝。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述金属层、所述介质隔离层和所述氮化硅层形成接触孔所使用的方法为：干法刻蚀。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，对所述金属层进行版图刻蚀。

可选的，在所述的二极管的制作方法中，所述衬底包括硅衬底。

在本发明提供的半导体器件的制作方法中，减少了在掩膜层上单独打孔这一步骤，因此，可以减少一层光罩，从而减少了材料和工时，同时，本发明形成的接触孔仍然可以减少掩膜层对半导体结构表面的应力。

附图说明

图1是本发明实施例的半导体器件的制作方法的流程图；

图2至图4是本发明实施例的半导体器件的制作方法的剖面示意图；

图中：110-半导体结构、111-衬底、112-p外延层、113-n型半导体、114- 浅沟槽隔离结构、115-P型阱区、120-掩膜层、130-介质隔离层、140-接触孔、 150-金属层。

具体实施方式