[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201910173012.7 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110137133A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 半导体器件 介质隔离层 半导体结构表面 浅沟槽隔离结构 氮化硅层 接触孔 掩膜层 衬底 制作 表面形成 研磨 打孔 光罩 刻蚀 源区 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；
在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；
研磨所述介质隔离层；
依次刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述介质隔离层和所述氮化硅层直到所述半导体结构的表面形成接触孔。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区包括：P型半导体结构、位于所述P型半导体结构上的外延层和位于所述外延层上的N形半导体结构。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述接触孔的个数为多个。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成接触孔之后，所述半导体器件的制作方法还包括：在所述介质隔离层上形成一金属层。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成一金属层后，所述半导体器件的制作方法还包括：刻蚀所述金属层形成小孔，所述小孔与所述接触孔的位置、形状和大小均一致。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述介质隔离层的材料为正硅酸乙酯。
7.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝。
8.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述金属层、所述介质隔离层和所述氮化硅层形成接触孔所使用的方法为：干法刻蚀。
9.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对所述金属层进行版图刻蚀。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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