[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种分栅快闪存储器及其制备方法，分栅快闪存储器的制备方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底包括相邻的存储区和逻辑区，存储区形成有字线栅极和保护层，半导体衬底上还形成有多晶硅层；在多晶硅层上形成图形化的掩模层，图形化的掩模层在存储区具有一开口；以图形化的掩模层为掩模，对开口处的多晶硅层进行各向同性蚀刻；对逻辑区的多晶硅层进行蚀刻；以及对保护层进行蚀刻，以形成分栅快闪存储器。通过在半导体衬底上仅形成多晶硅层，同时通过对存储区的多晶硅层进行各向同性蚀刻，使得存储区中靠近逻辑区的位置不形成多晶硅残留物，以改善分栅快闪存储器的良率，以及提高了生产效率，还提高了存储区的面积利用率。

主权项

1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的存储区和逻辑区，所述存储区形成有字线栅极以及包裹所述字线栅极的保护层，所述半导体衬底上还形成有多晶硅层；在所述多晶硅层上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层在所述存储区具有一开口；以所述图形化的掩模层为掩模，对所述开口处的所述多晶硅层进行各向同性蚀刻，并暴露出所述存储区的保护层；对所述逻辑区的多晶硅层进行蚀刻，以形成所述逻辑晶体管栅极；以及对所述保护层进行蚀刻，以形成分栅快闪存储器。