[发明专利]一种单晶硅片及其制作方法、电池片的切割方法有效
| 申请号： | 201910171679.3 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109873051B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 白枭龙;张涛;欧子扬;晏文勇;何丽珠;金浩;邓清香 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单晶硅片，所述单晶硅片的正面为非正八边形，且所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一，其中，所述第二顶点与所述第三顶点均为所述第一顶点的相邻顶点，所述第四顶点为所述第二顶点的相邻顶点，所述非正八边形的每个内角为135°。本申请中的单晶硅片的正面为非正八边形，使得单晶硅棒被废弃的边角料大幅减少，从而提高对单晶硅棒的利用率，节约成本。此外，本申请还提供一种具有上述优点的单晶硅片的制作方法、一种由上述单晶硅片制成的电池片的切割方法以及太阳能电池组件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 及其 制作方法 电池 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅片的正面为非正八边形，且所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一，其中，所述第二顶点与所述第三顶点均为所述第一顶点的相邻顶点，所述第四顶点为所述第二顶点的相邻顶点，所述非正八边形的每个内角为135°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
