[发明专利]一种单晶硅片及其制作方法、电池片的切割方法有效
| 申请号: | 201910171679.3 | 申请日: | 2019-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN109873051B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 白枭龙;张涛;欧子扬;晏文勇;何丽珠;金浩;邓清香 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B28D5/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
| 地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单晶硅 及其 制作方法 电池 切割 方法 | ||
1.一种单晶硅片,其特征在于,所述单晶硅片的正面为非正八边形,且所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,其中,所述第二顶点与所述第三顶点均为所述第一顶点的相邻顶点,所述第四顶点为所述第二顶点的相邻顶点,所述非正八边形的每个内角为135°。
2.如权利要求1所述的单晶硅片,其特征在于,所述单晶硅片的厚度取值范围为100微米至220微米,包括端点值。
3.如权利要求1所述的单晶硅片,其特征在于,所述单晶硅片为具有倒角的单晶硅片。
4.一种单晶硅片的制作方法,其特征在于,包括:
在单晶硅棒一端的横截面内确定内接非正八边形,其中,所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,所述非正八边形的每个内角为135°;
沿所述非正八边形对所述单晶硅棒进行切割,以得到预处理单晶硅棒;
对所述预处理单晶硅棒进行切片,以得到正面为所述非正八边形的单晶硅片。
5.如权利要求4所述的单晶硅片的制作方法,其特征在于,所述在单晶硅棒一端的横截面内确定内接非正八边形,其中,所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,所述非正八边形的每个内角为135°之后还包括:
通过确定所述第一顶点与所述第二顶点的连线平行于所述横截面中任意两个相邻的交点的连线,确定所述非正八边形的位置,其中,所述交点为所述单晶硅棒表面的棱线与所述横截面的交点。
6.如权利要求5所述的单晶硅片的制作方法,其特征在于,所述沿所述非正八边形对所述单晶硅棒进行切割,以得到预处理单晶硅棒包括:
沿所述非正八边形对所述单晶硅棒进行切割,以得到开方后的单晶硅棒;
在所述开方后的单晶硅棒上形成倒角,以得到所述预处理单晶硅棒。
7.一种电池片的切割方法,其特征在于,包括:
获取由正面为非正八边形的单晶硅片制成的电池片,其中,所述单晶硅片为如权利要求4至6任一项所述的单晶硅片的制作方法制成的单晶硅片;
对所述电池片进行切割,以得到形状为矩形的第一电池片和四个相等的形状为直角梯形的第二电池片,且任意两个所述形状为直角梯形的第二电池片可拼接成与所述第一电池片宽度相等的第三电池片。
8.如权利要求7所述的电池片的切割方法,其特征在于,所述对所述电池片进行切割,以得到形状为矩形的第一电池片和四个相等的形状为直角梯形的第二电池片,且任意两个所述形状为直角梯形的第二电池片可拼接成与所述第一电池片宽度相等的第三电池片之后还包括:
对所述第一电池片进行切割,以形成四个角均为倒直角的第一电池片;
对所述第二电池片进行切割,以形成四个角均为倒直角的第二电池片。
9.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括由上至下依次层叠的上基板、第一胶膜层、晶硅电池、第二胶膜层、背板,且所述晶硅电池为由多个第一电池片拼接而成或者由多个所述第三电池片拼接而成,其中,所述第一电池片和所述第三电池片为采用如权利要求7或8所述的电池片的切割方法得到的电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





