[发明专利]一种单晶硅片及其制作方法、电池片的切割方法有效
| 申请号: | 201910171679.3 | 申请日: | 2019-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN109873051B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 白枭龙;张涛;欧子扬;晏文勇;何丽珠;金浩;邓清香 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B28D5/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
| 地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单晶硅 及其 制作方法 电池 切割 方法 | ||
本申请公开了一种单晶硅片,所述单晶硅片的正面为非正八边形,且所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,其中,所述第二顶点与所述第三顶点均为所述第一顶点的相邻顶点,所述第四顶点为所述第二顶点的相邻顶点,所述非正八边形的每个内角为135°。本申请中的单晶硅片的正面为非正八边形,使得单晶硅棒被废弃的边角料大幅减少,从而提高对单晶硅棒的利用率,节约成本。此外,本申请还提供一种具有上述优点的单晶硅片的制作方法、一种由上述单晶硅片制成的电池片的切割方法以及太阳能电池组件。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种单晶硅片及其制作方法、电池片的切割方法以及太阳能电池组件。
背景技术
单晶硅片,是一种良好的半导体材料,用于制作半导体器件、太阳能电池等。
现有的单晶硅片均是带倒角的正方形,制作出的这种单晶硅片对单晶硅棒的利用率较低,造成单晶硅棒材料的浪费,进而导致单晶硅片的成本较高。
发明内容
本申请的目的是提供一种单晶硅片,以提高对单晶硅棒的利用率。
为解决上述技术问题,本申请提供一种单晶硅片,所述单晶硅片的正面为非正八边形,且所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,其中,所述第二顶点与所述第三顶点均为所述第一顶点的相邻顶点,所述第四顶点为所述第二顶点的相邻顶点,所述非正八边形的每个内角为135°。
可选的,所述单晶硅片的厚度取值范围为100微米至220微米,包括端点值。
可选的,所述单晶硅片为具有倒角的单晶硅片。
本申请还提供一种单晶硅片的制作方法,包括:
在单晶硅棒一端的横截面内确定内接非正八边形,其中,所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,所述非正八边形的每个内角为135°;
沿所述非正八边形对所述单晶硅棒进行切割,以得到预处理单晶硅棒;
对所述预处理单晶硅棒进行切片,以得到正面为所述非正八边形的单晶硅片。
可选的,所述在单晶硅棒一端的横截面内确定内接非正八边形,其中,所述非正八边形的第一顶点与第二顶点的距离是第三顶点与第四顶点的距离的三分之一,所述非正八边形的每个内角为135°之后还包括:
通过确定所述第一顶点与所述第二顶点的连线平行于所述横截面中任意两个相邻的交点的连线,确定所述非正八边形的位置,其中,所述交点为所述单晶硅棒表面的棱线与所述横截面的交点。
可选的,所述沿所述非正八边形对所述单晶硅棒进行切割,以得到预处理单晶硅棒包括:
沿所述非正八边形对所述单晶硅棒进行切割,以得到开方后的单晶硅棒;
在所述开方后的单晶硅棒上形成倒角,以得到所述预处理单晶硅棒。
本申请还提供一种电池片的切割方法,包括:
获取由正面为非正八边形的单晶硅片制成的电池片,其中,所述单晶硅片为上述任一种所述单晶硅片的制作方法制成的单晶硅片;
对所述电池片进行切割,以得到形状为矩形的第一电池片和四个相等的形状为直角梯形的第二电池片,且任意两个所述形状为直角梯形的第二电池片可拼接成与所述第一电池片宽度相等的第三电池片。
可选的,所述对所述电池片进行切割,以得到形状为矩形的第一电池片和四个相等的形状为直角梯形的第二电池片,且任意两个所述形状为直角梯形的第二电池片可拼接成与所述第一电池片宽度相等的第三电池片之后还包括:
对所述第一电池片进行切割,以形成四个角均为倒直角的第一电池片;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司,未经晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910171679.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池制备方法及系统
- 下一篇:一种太阳能电池扩散后退火工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





