[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在形成存储单元串以及存储单元串上的导电层之后，形成掩膜层，掩膜层中同时具有位于台阶区的台阶接触图形以及位于核心存储区的导电层接触图形，以该掩膜层为掩蔽，进行第一刻蚀，在该次刻蚀中，将在导电层上形成导电层接触孔，而在台阶区仅形成打开台阶区部分深度的台阶接触开口，而后，在台阶接触开口及导电层接触孔的侧壁上形成阻挡层，进而，仍以该掩膜层为掩蔽，进行台阶区的第二刻蚀，以便形成台阶接触孔。该方法降低了制造成本且有效控制工艺质量，保证器件质量和性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述台阶区形成有台阶结构，所述台阶结构上形成有填充所述台阶区的第一介质层，所述核心存储区中形成有存储单元串，所述存储单元串上设置有导电层，所述第一介质层、核心存储区及导电层上覆盖有第二介质层；在所述第二介质层上形成掩膜层，所述掩膜层中具有位于台阶区的台阶接触图形以及位于核心存储区的导电层接触图形；以所述掩膜层为掩蔽，进行对所述第二介质层进行第一刻蚀，以在所述第二介质层中形成导电层接触孔，以及台阶接触开口；在所述导电层接触孔以及台阶接触开口的侧壁上形成阻挡层；以所述掩膜层为掩蔽，对所述台阶区进行第二刻蚀，以形成台阶接触孔，所述阻挡层在所述第二刻蚀过程中具有刻蚀选择性。