[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层与栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述台阶区形成有台阶结构，所述台阶结构上形成有填充所述台阶区的第一介质层，所述核心存储区中形成有存储单元串，所述存储单元串上设置有导电层，所述第一介质层、核心存储区及导电层上覆盖有第二介质层；

在所述第二介质层上形成掩膜层，所述掩膜层中具有位于台阶区的台阶接触图形以及位于核心存储区的导电层接触图形；

以所述掩膜层为掩蔽，进行对所述第二介质层进行第一刻蚀，以在所述第二介质层中形成导电层接触孔，以及台阶接触开口；

在所述导电层接触孔以及台阶接触开口的侧壁上形成阻挡层；

以所述掩膜层为掩蔽，对所述台阶区进行第二刻蚀，以形成台阶接触孔，所述阻挡层在所述第二刻蚀过程中具有刻蚀选择性。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述台阶接触图形较所述导电层接触图形具有更大的尺寸。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层、第一介质层和第二介质层的材料为氧化硅。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料为多晶硅。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述导电层接触孔以及台阶接触开口的侧壁上形成阻挡层，包括：

进行氮元素的离子注入，以将所述导电层接触孔以及所述台阶接触开口的内壁表面转化为氮化物；

去除所述导电层接触孔以及所述台阶接触开口的底壁上的氮化物，以在所述导电层接触孔以及台阶接触开口的侧壁上形成氮化物的阻挡层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入为多角度离子注入。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述导电层接触孔以及所述台阶接触开口的底壁上的氮化物，包括：

采用各向异性刻蚀去除所述导电层接触孔以及所述台阶接触开口的底壁上的氮化物。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述台阶接触孔之后，还包括：

在所述导电层接触孔和所述台阶接触孔中分别形成导电层接触部和台阶接触部。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在所述导电层接触孔和所述台阶接触孔中分别形成导电层接触部和台阶接触部，包括：

同时进行所述导电层接触孔和所述台阶接触孔填充，以在所述导电层接触孔和所述台阶接触孔中分别形成导电层接触部和台阶接触部。

10.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

衬底上绝缘层与栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区；

形成于所述台阶区的台阶结构；

位于所述台阶结构上、填充所述台阶区的第一介质层；

形成于所述存储区中的存储单元串；

位于所述存储单元串上的导电层；

覆盖所述导电层、核心存储区以及第一介质层的第二介质层；

位于所述导电层上、贯穿所述第二介质层的导电层接触部；

位于所述台阶结构中栅极层上的台阶接触部；

在所述导电层接触部以及部分高度的台阶接触部与所述第二介质层之间的阻挡层，所述阻挡层与所述第二介质层、第一介质层以及绝缘层具有刻蚀选择性。