[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201910147697.8 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110534482A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 九鬼知博;滨田龙文 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林勳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置包含：衬底；所述衬底的上方的半导体；单元晶体管，包含形成在所述半导体中的部分；第1氮化硅层，设置在所述单元晶体管的上方；以及第2氮化硅层，设置在所述第1氮化硅层上，具有与所述第1氮化硅层的特性不同的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅层 单元晶体管 衬底 半导体 半导体存储装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：/n衬底；/n所述衬底的上方的半导体；/n单元晶体管，包含形成在所述半导体中的部分；/n所述单元晶体管的上方的第1氮化硅层；以及/n第2氮化硅层，设置在所述第1氮化硅层上，具有与所述第1氮化硅层的特性不同的特性。/n
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