[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201910147697.8 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110534482A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 九鬼知博;滨田龙文 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林勳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化硅层 单元晶体管 衬底 半导体 半导体存储装置 | ||
1.一种半导体存储装置，具备：
衬底；
所述衬底的上方的半导体；
单元晶体管，包含形成在所述半导体中的部分；
所述单元晶体管的上方的第1氮化硅层；以及
第2氮化硅层，设置在所述第1氮化硅层上，具有与所述第1氮化硅层的特性不同的特性。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的折射率低的折射率。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的内部应力高的内部应力。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的密度高的密度。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的N-H键的量更多的N-H键量。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中所述第1氮化硅层具有比所述第2氮化硅层的Si-H键的量更多的Si-H键量。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
9.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的密度高的密度。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
11.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的内部应力高的内部应力。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的密度高的密度。
14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
15.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
16.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层具有比所述第1氮化硅层的密度高的密度。
17.根据权利要求16所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
18.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1氮化硅层具有比所述第2氮化硅层的Si-H键的量更多的Si-H键量。
19.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化硅层位于所述半导体存储装置的表面。
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