[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201910144962.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111627910B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴柏翰;张峰溢;李甫哲;吕文杰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储装置以及其制作方法，其中该半导体存储装置包括半导体基底、位线结构、存储节点接触、隔离结构、第一间隙壁、第二间隙壁与第三间隙壁。位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向重复排列。各存储节点接触与各隔离结构设置于相邻的两位线结构之间。第一间隙壁部分设置于各隔离结构及与隔离结构相邻的位线结构之间且部分设置于各存储节点接触及与存储节点接触相邻的位线结构之间。第二间隙壁设置于各存储节点接触与第一间隙壁之间。第三间隙壁设置于各存储节点接触与第二间隙壁之间。第三间隙壁于第二方向上的厚度小于第二间隙壁的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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