[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

半导体基底；

多个位线结构，设置于该半导体基底上，其中各该位线结构沿一第一方向延伸，且该多个位线结构沿一第二方向重复排列；

多个存储节点接触，设置于该半导体基底上，其中各该存储节点接触于该第二方向上设置于相邻的两个该位线结构之间；

多个隔离结构，设置于该半导体基底上，其中各该隔离结构于该第二方向上设置于相邻的两个该位线结构之间，且各该存储节点接触于该第一方向上设置于相邻的两个该隔离结构之间；

第一间隙壁，在该第二方向上部分设置于各该隔离结构以及与该隔离结构相邻的该位线结构之间，且在该第二方向上部分设置于各该存储节点接触以及与该存储节点接触相邻的该位线结构之间；

第二间隙壁，在该第二方向上设置于各该存储节点接触与该第一间隙壁之间；以及

第三间隙壁，在该第二方向上设置于各该存储节点接触与该第二间隙壁之间，其中该第三间隙壁于该第二方向上的厚度小于该第二间隙壁于该第二方向上的厚度，

其中各该隔离结构以及与该隔离结构相邻的该位线结构之间于该第二方向上的距离小于或等于该第一间隙壁于该第二方向上的厚度最大值。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第三间隙壁的材料组成不同于该第二间隙壁的材料组成。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中该第二间隙壁的该材料组成不同于该第一间隙壁的材料组成。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中于该第二方向上设置于各该隔离结构以及与该隔离结构相邻的该位线结构之间的该第一间隙壁直接接触该隔离结构与该位线结构。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第二间隙壁以及该第三间隙壁于该第二方向上未设置于各该隔离结构以及与该隔离结构相邻的该位线结构之间。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中各该存储节点接触于该半导体存储装置的上视图中的形状为一矩形。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第一间隙壁于该第二方向上的厚度小于该第二间隙壁于该第二方向上的该厚度。

8.一种半导体存储装置的制作方法，包括：

提供半导体基底；

在该半导体基底上形成多个位线结构，其中各该位线结构沿一第一方向延伸，且该多个位线结构沿一第二方向重复排列；

在该多个位线结构的侧壁上形成第一间隙壁；

在该第一间隙壁的侧壁上形成第二间隙壁；

在该第二间隙壁的侧壁上形成第三间隙壁，其中该第三间隙壁于该第二方向上的厚度小于该第二间隙壁于该第二方向上的厚度；

在形成该第三间隙壁之后，在该半导体基底上形成多个隔离结构，其中各该隔离结构于该第二方向上位于相邻的两个该位线结构之间；以及

在该半导体基底上形成多个存储节点接触，其中各该存储节点接触于该第二方向上位于相邻的两个该位线结构之间，且各该存储节点接触于该第一方向上位于相邻的两个该隔离结构之间，

其中各该隔离结构以及与该隔离结构相邻的该位线结构之间于该第二方向上的距离小于或等于该第一间隙壁于该第二方向上的厚度最大值。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，其中形成该多个隔离结构的步骤包括：

在该多个位线结构之间形成介电材料，其中该第一间隙壁、该第二间隙壁以及该第三间隙壁位于各该位线结构与该介电材料之间；

移除部分的该介电材料，用以形成多个第一开孔贯穿该介电材料，其中各该隔离结构形成于该多个第一开孔中的一个之内；以及

在形成该多个隔离结构之后，移除该介电材料，用以形成多个第二开孔，其中各该第二开孔于该第一方向上位于相邻的两个该隔离结构之间。