[发明专利]存储装置在审
| 申请号： | 201910142954.9 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN110739392A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 村上俊也;梶田明广;斋藤真澄 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够使动作稳定的存储装置。本发明的一实施方式的存储装置包含第1导电部、第2导电部、第1电阻变化部、第1区域及绝缘部。从第1导电部朝所述第2导电部的方向沿着第1方向。第1电阻变化部设置在所述第1导电部与所述第2导电部之间。从所述第1电阻变化部朝所述第1区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述绝缘部在所述第2方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1区域之间。所述第1区域包含第1层部分以及在所述第2方向上设置在所述第1层部分与所述第1电阻变化部之间的第2层部分。所述第1层部分与所述第2层部分之间的沿着所述第2方向的第1距离比所述第1层部分的沿着与所述第2方向交叉的第1轴向的第1晶格长度长，并且比所述第2层部分的沿着与所述第2方向交叉的第2轴向的第2晶格长度长。 | ||
| 搜索关键词： | 导电部 电阻变化部 方向交叉 存储装置 绝缘部 晶格 轴向 动作稳定 距离比 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于具备：/n第1导电部；/n第2导电部，从所述第1导电部朝所述第2导电部的方向是沿着第1方向；/n第1电阻变化部，设置在所述第1导电部与所述第2导电部之间；以及/n第1区域，从所述第1电阻变化部朝所述第1区域的第2方向与所述第1方向交叉；/n所述第1区域包含：/n第1层部分；以及/n第2层部分，在所述第2方向上设置在所述第1层部分与所述第1电阻变化部之间；/n所述第1层部分与所述第2层部分之间的沿着所述第2方向的第1距离比第1晶格长度及第2晶格长度的至少任一长度长，所述第1晶格长度是所述第1层部分的沿着与所述第2方向交叉的第1轴向的晶格长度，所述第2晶格长度是所述第2层部分的沿着与所述第2方向交叉的第2轴向的晶格长度。/n
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