[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备：

第1导电部；

第2导电部，从所述第1导电部朝所述第2导电部的方向是沿着第1方向；

第1电阻变化部，设置在所述第1导电部与所述第2导电部之间；以及

第1区域，从所述第1电阻变化部朝所述第1区域的第2方向与所述第1方向交叉；

所述第1区域包含：

第1层部分；以及

第2层部分，在所述第2方向上设置在所述第1层部分与所述第1电阻变化部之间；

所述第1层部分与所述第2层部分之间的沿着所述第2方向的第1距离比第1晶格长度及第2晶格长度的至少任一长度长，所述第1晶格长度是所述第1层部分的沿着与所述第2方向交叉的第1轴向的晶格长度，所述第2晶格长度是所述第2层部分的沿着与所述第2方向交叉的第2轴向的晶格长度。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备：包含第1绝缘区域的绝缘部，

所述第1绝缘区域在所述第2方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1区域之间。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备：第2区域，在所述第1方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1导电部之间，

所述第2区域包含：

第3层部分；以及

第4层部分，在所述第1方向上设置在所述第3层部分与所述第1电阻变化部之间；

所述第3层部分与所述第4层部分之间的沿着所述第1方向的第2距离比第3晶格长度及第4晶格长度的至少任一长度长，所述第3晶格长度是所述第3层部分的沿着与所述第1方向交叉的第3轴向的晶格长度，所述第4晶格长度是所述第4层部分的沿着与所述第1方向交叉的第4轴向的晶格长度。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于还具备：第3区域，在所述第1方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第2导电部之间，

所述第3区域包含：

第5层部分；以及

第6层部分，在所述第1方向上设置在所述第5层部分与所述第1电阻变化部之间；

所述第5层部分与所述第6层部分之间的沿着所述第1方向的第3距离比第5晶格长度及第6晶格长度的至少任一长度长，所述第5晶格长度是所述第5层部分的沿着与所述第1方向交叉的第5轴向的晶格长度，所述第6晶格长度是所述第6层部分的沿着与所述第1方向交叉的第6轴向的晶格长度。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备第1对向区域，

在所述第2方向上，在所述第1对向区域与所述第1区域之间设置所述第1电阻变化部，

所述第1对向区域包含：

第1对向层部分；以及

第2对向层部分，在所述第2方向上设置在所述第1对向层部分与所述第1电阻变化部之间；

所述第1对向层部分与所述第2对向层部分之间的沿着所述第2方向的距离比所述第1对向层部分的沿着与所述第2方向交叉的轴向的晶格长度、及所述第2对向层部分的沿着与所述第2方向交叉的轴向的晶格长度的至少任一长度长。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于还具备绝缘部，

所述绝缘部包含：

第1绝缘区域，在所述第2方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1区域之间；以及

第1对向绝缘区域，在所述第2方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1对向区域之间。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备：

第3导电部；

第4导电部，从所述第3导电部朝所述第4导电部的方向是沿着所述第1方向；

以及

第2电阻变化部，设置在所述第3导电部与所述第4导电部之间；

在所述第2方向上，在所述第1电阻变化部与所述第2电阻变化部之间设置所述第1区域。