[发明专利]存储装置

说明书

实施方式提供一种能够使动作稳定的存储装置。本发明的一实施方式的存储装置包含第1导电部、第2导电部、第1电阻变化部、第1区域及绝缘部。从第1导电部朝所述第2导电部的方向沿着第1方向。第1电阻变化部设置在所述第1导电部与所述第2导电部之间。从所述第1电阻变化部朝所述第1区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述绝缘部在所述第2方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1区域之间。所述第1区域包含第1层部分以及在所述第2方向上设置在所述第1层部分与所述第1电阻变化部之间的第2层部分。所述第1层部分与所述第2层部分之间的沿着所述第2方向的第1距离比所述第1层部分的沿着与所述第2方向交叉的第1轴向的第1晶格长度长，并且比所述第2层部分的沿着与所述第2方向交叉的第2轴向的第2晶格长度长。

相关申请

本申请享有以日本专利申请2018-137142号(申请日：2018年7月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般来说涉及一种存储装置。

背景技术

例如，存在使用电阻变化层的存储装置。对于存储装置，期待稳定的动作。

发明内容

实施方式提供一种能够使动作稳定的存储装置。

本发明的一实施方式的存储装置包含第1导电部、第2导电部、第1电阻变化部、第1区域及绝缘部。从第1导电部朝所述第2导电部的方向沿着第1方向。第1电阻变化部设置在所述第1导电部与所述第2导电部之间。从所述第1电阻变化部朝所述第1区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述绝缘部在所述第2方向上设置在所述第1电阻变化部与所述第1区域之间。所述第1区域包含第1层部分以及在所述第2方向上设置在所述第1层部分与所述第1电阻变化部之间的第2层部分。所述第1层部分与所述第2层部分之间的沿着所述第2方向的第1距离比所述第1层部分的沿着与所述第2方向交叉的第1轴向的第1晶格长度长，并且比所述第2层部分的沿着与所述第2方向交叉的第2轴向的第2晶格长度长。

附图说明

图1(a)～图1(c)是例示第1实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图2(a)及图2(b)是例示第1实施方式的存储装置的一部分的示意图。

图3(a)～图3(c)是例示第1实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图4(a)及图4(b)是例示第1实施方式的存储装置的一部分的示意图。

图5(a)及图5(b)是例示第1实施方式的存储装置的一部分的示意图。

图6是例示第1实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图7(a)～图7(c)是例示第2实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图8(a)～图8(c)是例示第2实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图9是例示第2实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图10是例示第2实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图11(a)及图11(b)是例示第2实施方式的存储装置的示意性立体图。

图12(a)及图12(b)是例示存储装置的特性的曲线图。

图13(a)～图13(f)是例示第3实施方式的存储装置的制造方法的示意性剖视图。

图14(a)～图14(c)是例示实施方式的存储装置的示意性剖视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的各实施方式进行说明。