[发明专利]形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201910135136.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109904182A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨龙康;林宗德;黄仁德;李晓明 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底包括用于形成光电二极管的半导体材料；在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。本公开的方法能够容易地制造高宽比较大的光学隔离件。 | ||
| 搜索关键词： | 光学隔离 刻蚀停止层 牺牲层 图像传感器 衬底 刻蚀 半导体 半导体材料 光电二极管 处理停止 像素单元 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底被配置为形成光电二极管；在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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