[发明专利]形成图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底包括用于形成光电二极管的半导体材料；在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。本公开的方法能够容易地制造高宽比较大的光学隔离件。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种形成图像传感器的方法。

背景技术

在图像传感器中，各像素单元之间可能存在光学串扰，需要形成降低像素单元之间的光学串扰的光学隔离件，例如金属栅格。为了能够有效地降低像素单元之间的光学串扰，光学隔离件需要有足够的高度，例如不低于滤色器的高度。为了不影响像素单元的进光量，光学隔离件的宽度应尽可能地减小。

因此，希望在图像传感器中有高宽比较大的光学隔离件。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新的形成图像传感器的方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底包括用于形成光电二极管的半导体材料；在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1至5是分别示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图6是示意性地示出了在现有技术的形成图像传感器的方法的一个步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图7是示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一个步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图8至15是示意性地分别示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一些示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。