[发明专利]形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201910135136.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109904182A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨龙康;林宗德;黄仁德;李晓明 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学隔离 刻蚀停止层 牺牲层 图像传感器 衬底 刻蚀 半导体 半导体材料 光电二极管 处理停止 像素单元 填充 制造 | ||
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底被配置为形成光电二极管；
在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；
在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及
在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成所述光学隔离件之后，去除整个所述牺牲层；以及
在相邻的所述光学隔离件之间形成滤色器。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
在除所述牺牲层之后并且在形成所述滤色器之前，去除整个所述刻蚀停止层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成所述刻蚀停止层之前，在半导体衬底之上形成间隔层，所述间隔层与所述刻蚀停止层包括不同的材料，其中，
在半导体衬底之上形成刻蚀停止层包括：在所述间隔层之上形成所述刻蚀停止层；
通过所述刻蚀处理形成所述凹槽包括：通过第一刻蚀处理和第二刻蚀处理形成所述凹槽，其中所述第一刻蚀处理针对所述牺牲层在所述区域内的部分进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层，所述第二刻蚀处理针对所述刻蚀停止层在所述区域内的部分进行刻蚀并停止在所述间隔层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层包括氧化物，所述刻蚀停止层包括氮化物。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述间隔层包括氧化物。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光学隔离材料包括金属。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属为钨。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述凹槽中填充光学隔离材料之前，在所述凹槽中形成粘附层，所述粘附层覆盖所述凹槽的侧壁和底壁，。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘附层包括氮化钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
