[发明专利]一种晶片的加工工艺

摘要

本发明公开了一种晶片的加工工艺，包括对半成品晶片进行全表面刮涂液态玻璃粉，并烧结固化、全表面覆盖负光阻剂、将光罩部分显影、定影后、采用化学方式去除晶片表面不保留的玻璃层、对要保留的玻璃层进行去除负光阻剂并镀上一层化学镀镍层等步骤。本发明针对现有技术中的晶片切割时因应力作用造成的电性能下降或失效、芯片封装易被压坏、芯片电性能易失效和使用寿命短等的技术问题进行改进。本发明具有芯片四角不易被损坏、使用寿命长和防止芯片的引脚发生尖端放电等优点。

主权项

1.一种晶片的加工工艺，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤a：首先将待加工晶片的表面及沟槽内均刮涂一层液态玻璃粉后进行烘干，然后将所述待加工晶片表面抛净处理，进行烧结，得到粗制固化晶片；步骤b：将所述粗制固化晶片的表面及沟槽内第二次刮涂一层液态玻璃粉，然后再进行烘干，最后烧结，得到初制固化晶片；步骤c：将所述初制固化晶片的表面覆盖一层负光阻剂后进行烘烤，利用光源曝光，得到粗加工晶片；步骤d：将所述粗加工晶片浸泡至显、定影液中，得到显影后晶片；步骤e：将所述显影后晶片放置在浓度为99％的氢氟酸溶液中浸泡，得到粗制加工晶片；步骤f：将所述粗制加工晶片放置在浓度为99％的硫酸溶液中浸泡，得到初制加工晶片；步骤g：将所述初制加工晶片放置在所述镀镍液中进行镀镍，得到所述晶片。