[发明专利]一种晶片的加工工艺在审
| 申请号： | 201910134440.9 | 申请日： | 2019-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109786244A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 程崑岚;郑仁杰 | 申请（专利权）人： | 固镒电子（芜湖）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 负光阻剂 使用寿命 芯片 玻璃层 电性能 全表面 种晶 去除 定影 化学镀镍层 化学方式 尖端放电 晶片表面 晶片切割 烧结固化 芯片封装 液态玻璃 力作用 保留 刮涂 光罩 晶片 显影 压坏 易被 引脚 半成品 覆盖 改进 | ||
1.一种晶片的加工工艺，其特征在于，包括以下几个步骤：
步骤a：首先将待加工晶片的表面及沟槽内均刮涂一层液态玻璃粉后进行烘干，然后将所述待加工晶片表面抛净处理，进行烧结，得到粗制固化晶片；
步骤b：将所述粗制固化晶片的表面及沟槽内第二次刮涂一层液态玻璃粉，然后再进行烘干，最后烧结，得到初制固化晶片；
步骤c：将所述初制固化晶片的表面覆盖一层负光阻剂后进行烘烤，利用光源曝光，得到粗加工晶片；
步骤d：将所述粗加工晶片浸泡至显、定影液中，得到显影后晶片；
步骤e：将所述显影后晶片放置在浓度为99％的氢氟酸溶液中浸泡，得到粗制加工晶片；
步骤f：将所述粗制加工晶片放置在浓度为99％的硫酸溶液中浸泡，得到初制加工晶片；
步骤g：将所述初制加工晶片放置在所述镀镍液中进行镀镍，得到所述晶片。
2.如权利要求1所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，所述步骤a中，烘干的温度设置为180～220℃；烧结的温度设置为670～710℃。
3.如权利要求1所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，所述步骤b中，烘干的温度设置为180～220℃；烧结的温度设置为825～830℃。
4.如权利要求1所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，所述步骤c中，烘烤的温度设置为95～125℃，烘烤时间设置为0.8～1h。
5.如权利要求1所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，所述步骤d中，所述负光阻显影液采用四甲基氢氧化铵。
6.如权利要求1所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，所述步骤e中，浸泡时间为1～1.5min。
7.如权利要求6所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，浸泡完成后观测所述显影后晶片表面的玻璃粉的去除情况，若所述显影后晶片表面的玻璃粉未去除不干净，则将所述显影后晶片继续浸泡0.1～0.5min。
8.如权利要求1所述的一种晶片的加工工艺，其特征在于，所述步骤f中，浸泡时间为4～6min，重复浸泡2次。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
