[发明专利]一种晶片的加工工艺

说明书

本发明公开了一种晶片的加工工艺，包括对半成品晶片进行全表面刮涂液态玻璃粉，并烧结固化、全表面覆盖负光阻剂、将光罩部分显影、定影后、采用化学方式去除晶片表面不保留的玻璃层、对要保留的玻璃层进行去除负光阻剂并镀上一层化学镀镍层等步骤。本发明针对现有技术中的晶片切割时因应力作用造成的电性能下降或失效、芯片封装易被压坏、芯片电性能易失效和使用寿命短等的技术问题进行改进。本发明具有芯片四角不易被损坏、使用寿命长和防止芯片的引脚发生尖端放电等优点。

技术领域

本发明涉及半导体电子元器件制造技术领域，尤其涉及到一种晶片的加工工艺。

背景技术

随着半导体技术的发展，客户对二极管的要求越来越高，芯片作为二极管/三极管中的主要元器件，无疑必须具备，一是良好的电气性能和可靠性能，二是要具备有一定的稳定性。目前，传统的刀片刮涂法制作玻璃钝化二极管芯片的工艺流程大概为选择硅片、硅片清洗、磷预淀积、单面喷砂(减薄)、硼扩散及磷再分布、双面喷砂去氧化层、氮气或氧气退火(需要时)、铂扩散及扩散后的表面腐蚀处理和清洗(需要时)、V型槽台面腐蚀、生长二氧化硅膜或LPCVD淀积氮化硅膜(钝化保护)、玻璃钝化、HF漂洗(腐蚀)硅表面、双面镀镍(电极)、晶圆划片(晶片经过切割后称为芯片)和清洗包装等过程。其中玻璃钝化通常是将液态玻璃粉填与晶片的沟槽内，再烧结成固态，此方式虽然对晶片的空乏区形成保护，但稳定有欠缺，晶片在切割时，由于应力作用，容易对晶粒四角的玻璃面造成破损，玻璃角形成细小的裂纹，延伸影响至空乏区，导致电性能失效。

因此，本发明公开了一种晶片的加工工艺，与现有技术相比，本发明在玻璃钝化这一步骤后采用新的工艺使得对晶片起到一个加强保护的作用，可以防止封装后的芯片的引脚发生尖端放电，可以保护晶片的PN结，保证其电性能稳定，同时还避免了封装重压的时候引脚因为重力的作用被压坏破损，大大提高了芯片的使用寿命，同时还保证了后续晶片切割时的完整性和良好的电性能。本发明具有芯片四角不易被损坏、使用寿命长和防止芯片的引脚发生尖端放电等优点。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种晶片的加工工艺；以解决现有技术中的晶片切割时因应力作用造成的电性能下降或失效、芯片封装易被压坏、芯片电性能易失效和使用寿命短等的技术问题；本发明具有芯片四角不易被损坏、使用寿命长和防止晶片的引脚发生尖端放电等优点。

本发明通过以下技术方案实现：本发明公开了一种晶片的加工工艺，包括以下几个步骤：

步骤a：首先将待加工晶片的表面及沟槽内均刮涂一层液态玻璃粉后进行烘干，然后将待加工晶片表面抛净处理，进行烧结，得到粗制固化晶片；

步骤b：将粗制固化晶片的表面及沟槽内第二次刮涂一层液态玻璃粉，然后再进行烘干，最后烧结，得到初制固化晶片；

步骤c：将初制固化晶片的表面覆盖一层负光阻剂后进行烘烤干燥，得到粗加工晶片；将带线条的麦拉胶片覆盖在粗加工晶片上，利用光源曝光，以执行图片的转移。

步骤d：将粗加工晶片浸泡至显、定影液中，得到显影后晶片；其照到光的部分不会溶于负光阻显影液，光线照不到的部分则溶于负光阻显影液，形成凹槽，凹槽部分的玻璃层会裸露出来，需要保留的玻璃层部分会被负照到光定影的光阻剂牢固覆盖；

步骤e：将显影后晶片放置在浓度为99％的氢氟酸溶液中浸泡，得到粗制加工晶片；去除晶片上需要导电的部分上的玻璃层；

步骤f：将粗制加工晶片放置在浓度为99％的硫酸溶液中浸泡，得到初制加工晶片；去除需要保留的玻璃层上牢固覆盖的负光阻剂；

步骤g：将初制加工晶片放置在镀镍液中进行镀镍，得到晶片。为了镀上一层可焊性良好的新的化学镀镍层，保证晶片的良好导电性能。