[发明专利]光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法在审
| 申请号： | 201910133560.7 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111610698A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张凇铭;惠世鹏;刘效岩 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法。该装置包括臭氧水发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，臭氧管路的第一端与臭氧水发生器的出口连通，臭氧管路的第二端与纳米气泡发生器的入口连通；纳米气泡管路的第一端与纳米气泡发生器的出口连通，纳米气泡管路的第二端用于与待去除光刻胶的硅片相对应。本发明采用纳米气泡臭氧水的去除方式，可以提高硅片表面的光刻胶去除效率，清洗过程无污染，且纳米气泡臭氧水的制作成本低廉，并且，在去除光刻胶的同时对硅片表面图形无损伤，从而可以满足现有工艺对硅片的要求，进而可以使得硅片达到所设计的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 装置 方法 | ||
【主权项】：
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