[发明专利]光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法

说明书

本发明公开了一种光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法。该装置包括臭氧水发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，臭氧管路的第一端与臭氧水发生器的出口连通，臭氧管路的第二端与纳米气泡发生器的入口连通；纳米气泡管路的第一端与纳米气泡发生器的出口连通，纳米气泡管路的第二端用于与待去除光刻胶的硅片相对应。本发明采用纳米气泡臭氧水的去除方式，可以提高硅片表面的光刻胶去除效率，清洗过程无污染，且纳米气泡臭氧水的制作成本低廉，并且，在去除光刻胶的同时对硅片表面图形无损伤，从而可以满足现有工艺对硅片的要求，进而可以使得硅片达到所设计的器件特性。

技术领域

本发明涉及光刻胶去除技术领域，具体涉及一种光刻胶去除装置和一种去除光刻胶的方法。

背景技术

光刻胶又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，光刻胶广泛用于集成电路的制造，在半导体工艺制程中通过光刻工艺在硅片表面旋涂光刻胶，采用感光胶通过曝光、显影和刻蚀等方式在每层结构面上形成所需要的图案，之后去除硅片表面的光刻胶。

相关技术中，去除光刻胶的方法主要是灰化和全湿法清洗。干法去胶所需费用较高，也容易造成光刻胶下材料的损伤。湿法清洗去除光刻胶常用试剂为SPM，清洗步骤如下，将双氧水注入到硫酸溶液中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温清洗液；将该清洗液喷洒到半导体硅片光刻胶表面，清洗液与光刻胶反应将光刻胶去除，之后用去离子水冲洗硅片表面，最后用N₂干燥硅片表面。由于双氧水与硫酸发生放热反应，工艺温度为90-150℃，高温对部分器件会造成损伤，并且硫酸的消耗量很高，成本较高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种光刻胶去除装置和一种去除光刻胶的方法。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种光刻胶去除装置，包括臭氧水发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，其中，

所述臭氧管路的第一端与所述臭氧水发生器的出口连通，所述臭氧管路的第二端与所述纳米气泡发生器的入口连通；

所述纳米气泡管路的第一端与所述纳米气泡发生器的出口连通，所述纳米气泡管路的第二端用于与待去除光刻胶的硅片相对应。

可选地，所述纳米气泡管路的第二端设置有喷淋头。

可选地，所述喷淋头与所述硅片之间的垂直距离范围为15mm～25mm。

可选地，所述纳米气泡管路的第二端能够沿所述硅片的径向摆动。

可选地，当所述纳米气泡管路的第二端沿所述硅片的径向摆动时，其摆动速度为6rpm～10rpm。

可选地，还包括清洗水源、干燥气源、清洗水管路和干燥气管路；

所述清洗水管路的第一端与所述清洗水源连通，所述清洗水管路的第二端用于与所述硅片相对应；

所述干燥气管路的第一端与所述干燥气源连通，所述干燥气管路的第二端用于与所述硅片相对应。

本发明的第二方面，提供了一种去除光刻胶的方法，采用如前文记载的光刻胶去除装置，所述方法包括：

步骤S110、向腔室内提供纳米气泡臭氧水，并在第一预设工艺参数下，使所述纳米气泡臭氧水与硅片上的光刻胶反应，以去除所述光刻胶；

步骤S120、向所述腔室内提供清洗水，并在第二预设工艺参数下，对所述硅片的表面进行清洗；

步骤S130、向所述腔室内提供干燥气体，并在第三预设工艺参数下，干燥所述硅片。

可选地，所述第一预设工艺参数包括下述至少一项：

所述纳米气泡臭氧水中O₃的浓度范围为10ppm～50ppm；