[发明专利]光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法

权利要求书

1.一种光刻胶去除装置，其特征在于，包括臭氧水发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，其中，

所述臭氧管路的第一端与所述臭氧水发生器的出口连通，所述臭氧管路的第二端与所述纳米气泡发生器的入口连通；

所述纳米气泡管路的第一端与所述纳米气泡发生器的出口连通，所述纳米气泡管路的第二端用于与待去除光刻胶的硅片相对应。

2.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述纳米气泡管路的第二端设置有喷淋头。

3.根据权利要求2所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述喷淋头与所述硅片之间的垂直距离范围为15mm～25mm。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述纳米气泡管路的第二端能够沿所述硅片的径向摆动。

5.根据权利要求4所述的光刻胶去除装置，其特征在于，当所述纳米气泡管路的第二端沿所述硅片的径向摆动时，其摆动速度为6rpm～10rpm。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的光刻胶去除装置，其特征在于，还包括清洗水源、干燥气源、清洗水管路和干燥气管路；

所述清洗水管路的第一端与所述清洗水源连通，所述清洗水管路的第二端用于与所述硅片相对应；

所述干燥气管路的第一端与所述干燥气源连通，所述干燥气管路的第二端用于与所述硅片相对应。

7.一种去除光刻胶的方法，采用如权利要求1至6中任意一项所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述方法包括：

步骤S110、向腔室内提供纳米气泡臭氧水，并在第一预设工艺参数下，使所述纳米气泡臭氧水与硅片上的光刻胶反应，以去除所述光刻胶；

步骤S120、向所述腔室内提供清洗水，并在第二预设工艺参数下，对所述硅片的表面进行清洗；

步骤S130、向所述腔室内提供干燥气体，并在第三预设工艺参数下，干燥所述硅片。

8.根据权利要求7所述的去除光刻胶的方法，其特征在于，所述第一预设工艺参数包括下述至少一项：

所述纳米气泡臭氧水中O₃的浓度范围为10ppm～50ppm；

所述纳米气泡臭氧水的流量范围为1L/min～4L/min；

清洗时间范围为60s～180s；

硅片转速范围为800rpm～1500rpm。

9.根据权利要求7所述的去除光刻胶的方法，其特征在于，所述清洗水包括超纯水，所述第二预设工艺参数包括下述至少一项：

所述超纯水的流量范围为0.5L/min～1.5L/min；

清洗时间范围为20s～40s；

硅片转速范围为400rpm～1000rpm。

10.根据权利要求7所述的去除光刻胶的方法，其特征在于，所述干燥气体包括氮气，所述第三预设工艺参数包括下述至少一项：

所述氮气的流量范围为9L/min～11L/min；

清洗时间范围为25s～35s；

硅片转速范围为1800rpm～2000rpm。