[发明专利]一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法在审
| 申请号： | 201910129922.5 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109799234A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈健;马宁宁;郑嘉棋;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N23/2251;G01N23/2202;G01N1/32;G01N1/28;C04B35/573 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法，测定一定面积内的SiC的面积百分比和游离Si的面积百分比；根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷的体积密度，根据公式计算出反应烧结SiC陶瓷SiC的质量百分比含量和游离Si的质量百分比含量。该测定方法简便快捷，可操作性强，具有很好的应用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 反应烧结碳化硅陶瓷 反应烧结SiC 面积百分比 质量百分比 碳化硅 游离硅 游离 陶瓷 阿基米德原理 公式计算 应用效果 | ||
【主权项】：
1.一种反应烧结SiC陶瓷中SiC和游离Si含量的测定方法，其特征在于，测定一定面积内的SiC的面积百分比ASiC％和游离Si的面积百分比ASi％；根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷的体积密度ρ，根据如下公式计算出反应烧结SiC陶瓷中SiC的质量百分比含量αSiC％和游离Si的质量百分比含量αSi％：![]()
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其中，ρsi为Si的体积密度，ρsic为SiC的体积密度。
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