[发明专利]一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法

权利要求书

1.一种反应烧结SiC陶瓷中SiC和游离Si含量的测定方法，其特征在于，

测定一定面积内的SiC的面积百分比A_SiC％和游离Si的面积百分比A_Si％；

根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷的体积密度ρ，

根据如下公式计算出反应烧结SiC陶瓷中SiC的质量百分比含量αSiC％和游离Si的质量百分比含量αSi％：

其中，ρ_si为Si的体积密度，ρ_sic为SiC的体积密度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

该反应烧结SiC陶瓷主要包括SiC和游离Si两相。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

该反应烧结SiC陶瓷相对致密度≥99％。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，

根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷样品体积密度的陶瓷样品不少于3个，体积密度取平均值。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，

将上述反应烧结SiC陶瓷样品表面磨平并经金刚石抛光液抛光，表面粗糙度≤4nm。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于，

将上述抛光后的反应烧结SiC陶瓷样品通过光学显微镜或者扫描电镜进行拍照。

7.根据权利要求6中所述的方法，其特征在于，

根据统计软件对反应烧结SiC陶瓷所拍照片中SiC和游离Si两相材料面积百分比进行统计。