[发明专利]一种顶发射发光器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201910129410.9 | 申请日: | 2019-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN109950415B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | 顾辛艳 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡拥军;糜婧 |
| 地址: | 310052 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种顶发射发光器件及其制备方法。该顶发射发光器件包括:基底;设置在基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构;设于各发光区域的发光单元,各发光单元共享一顶电极,顶电极从各发光区域内向外延伸并覆盖像素界定结构的顶面;设于各发光区域中的光取出单元,光取出单元设于发光单元的出光侧;以及辅助电极,辅助电极设置在像素界定结构顶面的上方,且辅助电极与顶电极导电地连接。本发明通过在顶电极上设置辅助电极,解决了顶电极导电性不足的问题,且辅助电极的制备方法简单,不会对顶电极造成损伤;通过在发光单元的出光侧设置光取出单元,可以提高发光器件的出光率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 发射 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种顶发射发光器件,包括:基底;设置在所述基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构;设于各所述发光区域的发光单元,各所述发光单元共享一顶电极,所述顶电极从各所述发光区域内向外延伸并覆盖所述像素界定结构的顶面;其特征在于,所述顶发射发光器件还包括:设于各所述发光区域中的光取出单元,所述光取出单元设于所述发光单元的出光侧;以及辅助电极,所述辅助电极设置在所述像素界定结构顶面的上方,且所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司,未经纳晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910129410.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板及显示设备
- 下一篇:显示面板的制作方法、显示面板及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





