[发明专利]一种顶发射发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910129410.9 申请日: 2019-02-21
公开(公告)号: CN109950415B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 顾辛艳 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 胡拥军;糜婧
地址: 310052 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种顶发射发光器件及其制备方法。该顶发射发光器件包括:基底;设置在基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构;设于各发光区域的发光单元,各发光单元共享一顶电极,顶电极从各发光区域内向外延伸并覆盖像素界定结构的顶面;设于各发光区域中的光取出单元,光取出单元设于发光单元的出光侧;以及辅助电极,辅助电极设置在像素界定结构顶面的上方,且辅助电极与顶电极导电地连接。本发明通过在顶电极上设置辅助电极,解决了顶电极导电性不足的问题,且辅助电极的制备方法简单,不会对顶电极造成损伤;通过在发光单元的出光侧设置光取出单元,可以提高发光器件的出光率。
搜索关键词: 一种 发射 发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种顶发射发光器件,包括:基底;设置在所述基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构;设于各所述发光区域的发光单元,各所述发光单元共享一顶电极,所述顶电极从各所述发光区域内向外延伸并覆盖所述像素界定结构的顶面;其特征在于,所述顶发射发光器件还包括:设于各所述发光区域中的光取出单元,所述光取出单元设于所述发光单元的出光侧;以及辅助电极,所述辅助电极设置在所述像素界定结构顶面的上方,且所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司,未经纳晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910129410.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top