[发明专利]一种顶发射发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发射发光器件，包括：基底；设置在所述基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构；设于各所述发光区域的发光单元，各所述发光单元共享一顶电极，所述顶电极从各所述发光区域内向外延伸并覆盖所述像素界定结构的顶面；其特征在于，所述顶发射发光器件还包括：

设于各所述发光区域中的光取出单元，所述光取出单元设于所述发光单元的出光侧；所述顶电极的表面张力大于所述光取出单元上表面的表面张力；以及

辅助电极，所述辅助电极设置在所述像素界定结构顶面的上方，且所述辅助电极与所述顶电极导电地连接；所述辅助电极为多个环状，所述辅助电极形成一交联的整体。

2.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述像素界定结构为网状结构。

3.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元上表面的表面张力为25～40dyne/cm。

4.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元包括散射粒子以及将所述散射粒子限制在所述发光区域内的连续相树脂。

5.根据权利要求4所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元包括至少一包含所述散射粒子的层，所述光取出单元可选择地包括不设置散射粒子的层。

6.根据权利要求4所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元的等效折光指数为1.5～2.5。

7.根据权利要求4所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元的上表面为平面或者中部凸起的弧面，所述光取出单元的上表面边缘的高度不超过所述辅助电极底面的高度，所述光取出单元的上表面最高点的高度不超过所述辅助电极的最高点。

8.根据权利要求1-7任一所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述发光单元对应的所述顶电极与所述光取出单元之间设置有保护层，所述保护层的厚度为40～400nm。

9.一种顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供带有底电极的基底，所述基底上设有用于界定多个发光区域的像素界定结构；

S2，于各所述发光区域内以及所述像素界定结构的表面设置顶电极；

S3，于各所述发光区域中制作光取出单元；

S4，在所述像素界定结构顶面的上方设置辅助电极，所述辅助电极与所述顶电极导电地连接；所述步骤S4中，所述辅助电极由导电墨水干燥或固化形成；所述光取出单元之间有间隔单元，所述间隔单元的上表面的表面能大于相邻的所述光取出单元的上表面的表面能，在所述间隔单元和/或所述光取出单元的上表面上设置导电墨水，所述导电墨水富集到所述像素界定结构顶面对应的上方表面，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

10.根据权利要求9所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电墨水的表面张力为25～40dyne/cm，所述光取出单元的上表面的表面张力为25～40dyne/cm。

11.根据权利要求9所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电墨水包括导电组分、溶剂以及修饰稳定剂，所述导电组分选自以下一种或多种：金属纳米线、金属纳米颗粒、石墨烯、碳纳米管，所述导电组分在所述导电墨水中的质量分数为1～55％。

12.根据权利要求9所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于各所述发光区域内设置保护层，所述保护层覆盖位于所述发光区域内的所述顶电极的表面；所述步骤S3中，于所述发光区域内的所述保护层上设置所述光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述顶电极表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。