[发明专利]一种顶发射发光器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种顶发射发光器件及其制备方法。该顶发射发光器件包括：基底；设置在基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构；设于各发光区域的发光单元，各发光单元共享一顶电极，顶电极从各发光区域内向外延伸并覆盖像素界定结构的顶面；设于各发光区域中的光取出单元，光取出单元设于发光单元的出光侧；以及辅助电极，辅助电极设置在像素界定结构顶面的上方，且辅助电极与顶电极导电地连接。本发明通过在顶电极上设置辅助电极，解决了顶电极导电性不足的问题，且辅助电极的制备方法简单，不会对顶电极造成损伤；通过在发光单元的出光侧设置光取出单元，可以提高发光器件的出光率。

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种顶发射发光器件及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)的自发光显示技术由于其快速响应、高对比度的优点，正得到越来越多的关注，然而材料利用率低、物理气相沉积设备昂贵能耗高等因素，使得OLED面板的价格居高不下，人们把目光普遍投向了半峰宽窄、色域更广、溶液法制程的量子点发光二极管(QLED)，由于采用按需喷墨的打印技术来制作器件各层，材料利用率极大提升，设备成本明显下降，因此被认为是OLED的有力竞争者。但是无论OLED还是QLED，都面临出光效率低的问题。一般认为，发光器件产生的光只有约20％的能量最终被人眼捕获，大量的光都在器件内部被耗散，器件的效率和寿命都受到很大的影响。

为了提高器件的出光、增加寿命，可以改变器件的出光方式以增加开口率，即用顶发射来取代底发射，由于顶发射器件的光路不受TFT布线的影响，可以极大提高像素开口率，即增大像素面积，器件驱动的电流密度可以降低，因而可以有效提高器件的寿命。但是，目前顶电极的导电性不够，尤其在制作大面积显示器件时，器件往往因为压降厉害而发光不均。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种顶发射器件及其制备方法，在保证顶电极导电性同时，获得良好的出光均匀性，抑制相邻子像素的光互相窜扰。

根据本发明的一个方面，提供一种顶发射发光器件，包括：基底；设置在所述基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构；设于各所述发光区域的发光单元，各所述发光单元共享一顶电极，所述顶电极从各所述发光区域内向外延伸并覆盖所述像素界定结构的顶面；所述顶发射发光器件还包括

设于各所述发光区域中的光取出单元，所述光取出单元设于所述发光单元的出光侧；以及

辅助电极，所述辅助电极设置在所述像素界定结构顶面的上方，且所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。

进一步地，所述像素界定结构为网状结构。

进一步地，所述光取出单元上表面的表面张力为25～40dyne/cm，所述顶电极的表面张力大于所述光取出单元上表面的表面张力。

进一步地，所述光取出单元包括散射粒子以及将所述散射粒子限制在所述发光区域内的连续相树脂。

进一步地，所述光取出单元包括至少一包含所述散射粒子的层，所述光取出单元可选择地包括不设置散射粒子的层。

进一步地，所述光取出单元的等效折光指数为1.5～2.5。

进一步地，所述光取出单元的顶面为平面或者中部凸起的弧面，以所述基底为基准，所述光取出单元的顶面边缘的高度不超过所述辅助电极底面的高度，所述光取出单元的顶面最高点的高度不超过所述辅助电极的最高点。

进一步地，所述发光单元对应的所述顶电极与所述光取出单元之间设置有保护层；优选地，所述保护层的厚度为40～400nm。

根据本发明的另一个方面，提供一种顶发射发光器件的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供带有底电极的基底，所述基底上设有用于界定多个发光区域的像素界定结构；