[发明专利]多晶体管器件有效
| 申请号： | 201910123703.6 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110176454B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | V·帕拉;V·帕塔萨拉蒂;B·法特米扎德赫;M·A·祖尼加;J·夏 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多晶体管器件包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管。在某些实施例中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一和第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶体管器件，包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管，其中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一漂移区和所述第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
