[发明专利]多晶体管器件

权利要求书

1.一种多晶体管器件，包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管，其中，

所述第一横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括第一漂移区，

所述第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括第二漂移区，并且

所述第一漂移区和所述第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型降低表面场层分离开，

所述多晶体管器件还包括共享第二p型降低表面场层和第二漏极n+区的第三和第四横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述第一横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区电耦合至所述第三横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区，并且

其中，所述多晶体管器件还包括第一栅极导电层和第一栅极电介质层，以及至少部分限定所述第一漏极n+区的横向边缘的第一隔离区，并且所述第一栅极导电层在所述厚度方向上不与所述第一隔离区重叠。

2.如权利要求1所述的多晶体管器件，其中：

所述第一横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管在正交于所述厚度方向的横向方向上与所述第三横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管分离开；并且

所述第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管在所述横向方向上与所述第四横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管分离开。

3.如权利要求2所述的多晶体管器件，其中：

所述第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管共享p本体区；

所述第一横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括布置在所述p本体区中的第一源极n+区；

所述第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括布置在所述p本体区中的第二源极n+区；并且

所述第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管共享布置在所述p本体区中的源极p+区。

4.如权利要求3所述的多晶体管器件，其中，所述第一p型降低表面场层、所述第一漏极n+区、所述第一漂移区、所述第二漂移区、所述第一源极n+区、所述第二源极n+区、和所述源极p+区中的每一者都是硅半导体结构的一部分。

5.如权利要求4所述的多晶体管器件，其中，所述第一源极n+区与所述第二源极n+区被所述源极p+区分离开。

6.如权利要求4所述的多晶体管器件，其中，所述第一p型降低表面场层在所述厚度方向上与所述p本体区相邻。

7.如权利要求4所述的多晶体管器件，进一步包括：

在所述p本体区上方在所述厚度方向上堆叠在所述硅半导体结构上的第一栅极导电层和第一栅极电介质层；以及

在所述p本体区上方在所述厚度方向上堆叠在所述硅半导体结构上的第二栅极导电层和第二栅极电介质层，

其中：

所述第一栅极电介质层在横向方向上与所述第二栅极电介质层分离开，并且

其中，所述第一栅极导电层在所述横向方向上与所述第二栅极导电层分离开。

8.如权利要求7所述的多晶体管器件，进一步包括布置在所述硅半导体结构中的沟槽中的浅沟槽隔离(STI)区，所述浅沟槽隔离区在所述横向方向上布置在所述p本体区与所述第一漏极n+区之间。

9.如权利要求8所述的多晶体管器件，进一步包括：

在所述厚度方向上布置在所述硅半导体结构上方的内层电介质(ILD)；以及

在所述厚度方向上布置在所述内层电介质上方的导电场板。

10.如权利要求9所述的多晶体管器件，其中，所述导电场板在所述厚度方向上至少部分地布置在所述浅沟槽隔离区上方。

11.如权利要求9所述的多晶体管器件，其中，所述导电场板电耦合至所述第一源极n+区、所述第二源极n+区、和所述源极p+区。