[发明专利]测试结构和测试方法有效
| 申请号： | 201910122181.8 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN109950165B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周玉婷;许健 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;马陆娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种测试结构和测试方法，所述测试结构包括半导体衬底；具有侧边的图案特征，所述图案特征形成在所述半导体衬底上；以及测量标记，所述测量标记位于所述半导体衬底上且与所述图案特征的侧边相邻，其中，所述测量标记为轴对称多边形的形状，包括位于对称轴的两侧的第一子区域和第二子区域，其中，所述测量标记的对称轴与所述图案特征的距离值表征所述图案特征的偏差量，根据所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸作为形状参数判断所述测量标记是否发生变形，从而对所述图案特征的偏差量的测量结果进行校验。该测量标记根据形状参数对测量结果进行校验，从而可以提高偏差量的测量准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，包括：半导体衬底；具有侧边的图案特征，所述图案特征形成在所述半导体衬底上；以及测量标记，所述测量标记位于所述半导体衬底上且与所述图案特征的侧边相邻，其中，所述测量标记为轴对称多边形的形状，包括位于对称轴的两侧的第一子区域和第二子区域，其中，所述测量标记的对称轴与所述图案特征的距离值表征所述图案特征的偏差量，根据所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸作为形状参数判断所述测量标记是否发生变形，从而对所述图案特征的偏差量的测量结果进行校验。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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