[发明专利]测试结构和测试方法有效
申请号: | 201910122181.8 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109950165B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 周玉婷;许健 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;马陆娟 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 方法 | ||
1.一种测试结构,包括:
半导体衬底;
具有侧边的图案特征,所述图案特征形成在所述半导体衬底上;以及
测量标记,所述测量标记位于所述半导体衬底上且与所述图案特征的侧边相邻,
其中,所述测量标记为轴对称多边形的形状,包括位于对称轴的两侧的第一子区域和第二子区域,其中,所述测量标记的对称轴与所述图案特征的距离值表征所述图案特征的偏差量,根据所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸作为形状参数判断所述测量标记是否发生变形,从而对所述图案特征的偏差量的测量结果进行校验,
其中,所述第一子区域和所述第二子区域的形状为选自三角形和梯形中的任一种。
2.根据权利要求1所述的测试结构,其中,所述轴对称多边形为选自四边菱形、五边形、六边形、七边形和八边形中的任一种,所述对称轴经过所述轴对称多边形的顶点或等分所述轴对称多边形的侧边。
3.根据权利要求1所述的测试结构,其中,所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸为所述三角形或所述梯形的高度。
4.根据权利要求1所述的测试结构,其中,所述测量标记靠近所述图案特征的两条相邻的所述侧边相交形成的顶角。
5.根据权利要求4所述的测试结构,其中,所述图案特征的若干顶角中,每个所述顶角所在的两条所述侧边一侧分别形成有所述测量标记,以根据多个所述顶角周围的多个所述测量标记的所述形状参数对所述偏差量的测量结果进行校验。
6.根据权利要求1所述的测试结构,其中,所述图案特征为焊盘。
7.一种测试方法,包括:
形成与图案特征相邻的测量标记;
测量出所述测量标记的对称轴与所述图案特征的侧边之间的距离值;
根据所述距离值获得所述图案特征的偏差量;
获得所述测量标记的形状参数;以及
根据所述形状参数对所述偏差量的测量结果进行校验,
其中,所述测量标记与所述图案特征相邻并且为轴对称多边形的形状,所述测量标记包括位于对称轴的两侧的第一子区域和第二子区域,根据所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸作为形状参数判断所述测量标记是否发生变形,从而对所述偏差量的测量结果进行校验,所述第一子区域和所述第二子区域的形状为选自三角形和梯形中的任一种。
8.根据权利要求7所述的测试方法,其中,所述轴对称多边形为选自四边菱形、五边形、六边形、七边形和八边形中的任一种,所述对称轴经过所述轴对称多边形的顶点或等分所述轴对称多边形的侧边。
9.根据权利要求7所述的测试方法,其中,所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸为所述三角形或所述梯形的高度。
10.根据权利要求7所述的测试方法,在测量距离值的步骤和获得偏差量的步骤之间,还包括:采用所述第一子区域和所述第二子区域垂直于所述对称轴的尺寸的比值,对所述距离值进行修正。
11.根据权利要求7所述的测试方法,其中,所述测量标记靠近所述图案特征的两条相邻的所述侧边相交形成的顶角。
12.根据权利要求11所述的测试方法,其中,所述图案特征的若干顶角中,每个所述顶角所在的两条所述侧边一侧分别形成有所述测量标记,以根据多个所述测量标记的所述形状参数对所述偏差量的测量结果进行校验。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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