[发明专利]存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910119146.0 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110503996B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张至扬;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了存储器件及其形成方法。本发明的各个实施例针对用于减小线路负载的存储器布局。在一些实施例中，存储器件包括：位单元阵列、第一导线、第二导线和多个导电桥。第一和第二导线可以例如是源极线或一些其它的导线。位单元阵列包括多个行和多个列，并且多个列包括第一列和第二列。第一导线沿着第一列延伸并且电连接至第一列中的位单元。第二导线沿着第二列延伸并且电连接至第二列中的位单元。导电桥从第一导线延伸至第二导线并且将第一导线和第二导线电连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：/n位单元的阵列，包括多个行和多个列，其中，所述多个列包括第一列和第二列；/n第一导线，沿着所述第一列延伸，其中，所述第一导线电连接至所述阵列的所述第一列中的位单元；/n第二导线，沿着所述第二列延伸，其中，所述第二导线电连接至所述阵列的所述第二列中的位单元；以及/n多个导电桥，从所述第一导线延伸至所述第二导线，并且将所述第一导线和所述第二导线电连接在一起。/n
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