[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

位单元的阵列，包括多个行和多个列，其中，所述多个列包括第一列、第二列、第三列和第四列；

第一源极线，沿着所述第一列和所述第三列延伸，其中，所述第一源极线电连接至所述阵列的所述第一列和所述第三列中的位单元；

第二源极线，沿着所述第二列和所述第四列延伸，其中，所述第二源极线电连接至所述阵列的所述第二列和所述第四列中的位单元；以及

多个导电桥，从所述第一源极线延伸至所述第二源极线，并且将所述第一源极线和所述第二源极线直接电连接在一起。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件包括电阻式存储器件、磁阻式随机存取存储器存储器件或铁电随机存取存储器。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个导电桥沿着所述第一列均匀地间隔开。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个导电桥是线形的并且延伸横穿平行的所述第一源极线和所述第二源极线。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个导电桥包括第一导电桥和第二导电桥，以及

其中，所述第一导电桥和所述第二导电桥相邻并且沿着所述第一列通过所述阵列的两行分隔开。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个列还包括第五列，

其中，所述存储器件还包括第三源极线，所述第三源极线沿着所述第五列延伸并且电连接至所述阵列的所述第五列中的位单元，以及

其中，所述多个导电桥从所述第一列延伸至所述第二列，并且从所述第二列延伸至所述第五列。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个列还包括第五列，

其中，所述多个导电桥在所述第一源极线和所述第二源极线之间延伸，所述多个导电桥分别在所述第一源极线和所述第二源极线处起始和终止；

其中，所述存储器件还包括：

第三源极线，沿着所述第五列延伸并且电连接至所述阵列的所述第五列中的位单元；和

多个第二导电桥，在所述第二源极线和所述第三源极线之间延伸，所述多个第二导电桥分别在所述第二源极线和所述第三源极线处起始和终止，其中，所述多个导电桥和所述多个第二导电桥彼此间隔开并且沿着所述第二源极线交替。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述阵列的位单元是双晶体管单电阻器(2T1R)随机存取存储器(RRAM)单元。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述阵列的位单元是单晶体管单电阻器(1T1R)随机存取存储器(RRAM)单元。

10.一种用于形成存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成存取器件的阵列，其中，所述存取器件的阵列包括多个行和多个列，并且其中，所述多个列以相邻列为一对来分组；

在所述存取器件的阵列上方形成多条布线，其中，所述多条布线包括：

多条源极线，包括第一源极线和第二源极线，其中，所述多条源极线的每条均专用于相邻列构成的一对，并且电连接至所述阵列的所述相邻列构成的一对中的存取器件；和

多个桥部，在所述第一源极线和所述第二源极线之间延伸，并且将所述第一源极线和所述第二源极线直接电连接在一起；以及

在所述多条布线上方形成存储器结构的阵列，其中，所述存储器结构分别通过所述多条布线电连接至所述存取器件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多条布线在所述衬底之上具有相同的高度，并且其中，所述第一源极线、所述第二源极线和所述多个桥部集成在一起。