[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910116405.4 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN109830464A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;黄仁德;汪旭东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/552;H01L23/60;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：第一基底，所述第一基底包括若干器件区和若干密封环区，且每个器件区分别由所述密封环区包围，所述第一基底包括相对的第一面和第二面；位于第一基底若干器件区和若干密封环区第一面表面的第一器件层，所述第一器件层包括位于第一基底密封环区第一面表面的第一导电层；位于第一基底密封环区内的第一插塞，所述第一插塞与第一导电层电连接，且第一基底的第二面暴露出所述第一插塞；位于第一基底密封环区的第二面表面的第二导电层，且所述第二导电层与所述第一插塞连接。所述半导体结构具有屏蔽、防静电效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 密封环区 半导体结构 第二面 器件区 插塞 第二导电层 第一导电层 器件层 防静电效果 插塞连接 电连接 密封环 屏蔽 包围 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括:第一基底，所述第一基底包括若干器件区和若干密封环区，且每个器件区分别由所述密封环区包围，所述第一基底包括相对的第一面和第二面；位于第一基底若干器件区和若干密封环区第一面表面的第一器件层，所述第一器件层包括位于第一基底密封环区第一面表面的第一导电层；位于第一基底密封环区内的第一插塞，所述第一插塞与第一导电层电连接，且第一基底的第二面暴露出所述第一插塞；位于第一基底密封环区的第二面表面的第二导电层，且所述第二导电层与所述第一插塞连接。
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