[发明专利]一种SiC晶须的制备方法有效
| 申请号： | 201910115067.2 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109652857B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈旸;乔宁;郑占申;李欣;米越姗 | 申请（专利权）人： | 华北理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 063210 河北省唐山*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，属于SiC制备技术领域，该方法取聚硅氧烷置于容器中；向盛有聚硅氧烷的容器中滴入适量氯铂酸酒精溶液；用磁力搅拌器搅拌；将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联；将交联后的聚硅氧烷制成粉体；分别筛分出粒径为280um‑450um，154um‑180um，150um‑154um的不同粉末；用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体，用管式气氛炉进行1500℃高温烧结。该方法以不同厚度石墨基体为生长平台，通过改变基体形态和粉体粒度，控制包埋深度，制备不同形态晶须。本发明的制备SiC晶须方法，生产过程简单，操作性强，生产成本低，可生长不同形态的高品质SiC晶须，拓展其增强体和吸波材料领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC晶须的制备方法，首先进行含氢硅油的交联①取聚硅氧烷置于容器中；②向盛有聚硅氧烷的容器中滴入氯铂酸酒精溶液；③用磁力搅拌器搅拌；④将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联； 其特征在于：还包括以下步骤：（1）将交联后的聚硅氧烷制成粉体；（2）分别筛分出粒径为280um‑450um，154um‑180um，150um‑154um的不同粉末；（3）包埋烧结，用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体，用管式气氛炉进行高温烧结。
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