[发明专利]一种SiC晶须的制备方法有效
| 申请号： | 201910115067.2 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109652857B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈旸;乔宁;郑占申;李欣;米越姗 | 申请（专利权）人： | 华北理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 063210 河北省唐山*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 制备 方法 | ||
1.一种SiC晶须的制备方法，首先进行含氢硅油的交联①取聚硅氧烷置于容器中；②向盛有聚硅氧烷的容器中滴入氯铂酸酒精溶液；③用磁力搅拌器搅拌；
④将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联； 其特征在于：还包括以下步骤：
（1）将交联后的聚硅氧烷制成粉体；
（2）分别筛分出粒径为280um-450um，154um-180um，150um-154um的不同粉末；
（3）包埋烧结，用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体，用管式气氛炉进行高温烧结，其中用280um-450um的交联粉末包埋厚度为1mm 或2mm的石墨基体；用154um-180um 的交联粉末包埋厚度为2mm或4mm的石墨基体；用150um-154um的交联粉末包埋厚度为1mm的石墨基体。
2.根据权利要求1所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）包埋烧结之前加入催化剂。
3.根据权利要求1所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）管式气氛炉进行高温烧结至1500℃，高温烧结中升温或降温速度：800℃之前4℃/min，800℃-1500℃之间2℃/min，保温2h，氩气保护。
4.根据权利要求2所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：所述加入催化剂是加入质量分数为1%的二茂铁，用40目筛过筛至少一次，使之充分混合。
5.根据权利要求2所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：所述加入催化剂是加入质量分数为1%的硼酸，用40目筛过筛至少一次，使之充分混合。
6.根据权利要求1所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：向盛有聚硅氧烷的容器中滴入氯铂酸酒精溶液质量为聚硅氧烷质量的0.6%。
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