[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910105848.3 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110120241A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 冈山昌太;神田明彦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C29/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。 | ||
| 搜索关键词： | 参考电压 半导体器件 修整 电源电压 电源电路 参考电压生成电路 半导体存储器件 电压生成电路 电路 外部 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：逻辑电路，用于输出第一修整代码，电源电路，用于生成特定参考电压和多个电源电压，以及比较器，用于比较外部参考电压和所述特定参考电压，并且输出第一比较结果，其中，所述电源电路基于所述第一比较结果从所述特定参考电压生成多个参考电压，其中，所述多个参考电压包括第一参考电压，其中，所述多个电源电压包括对应于所述第一参考电压的第一电源电压，其中，所述比较器将所述多个参考电压中的每一个与对应于所述多个参考电压中的每一个的多个电源电压进行比较，其中，所述比较器将基于所述第一修整代码修整的第一电源电压与所述第一参考电压进行比较，并且输出第二比较结果，以及其中，所述逻辑电路基于所述第二结果来调节所述第一修整代码。
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