[发明专利]半导体器件在审
| 申请号: | 201910105848.3 | 申请日: | 2019-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN110120241A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 冈山昌太;神田明彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C29/04 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;董典红 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 参考电压 半导体器件 修整 电源电压 电源电路 参考电压生成电路 半导体存储器件 电压生成电路 电路 外部 申请 | ||
1.一种半导体器件,包括:
逻辑电路,用于输出第一修整代码,
电源电路,用于生成特定参考电压和多个电源电压,以及
比较器,用于比较外部参考电压和所述特定参考电压,并且输出第一比较结果,
其中,所述电源电路基于所述第一比较结果从所述特定参考电压生成多个参考电压,
其中,所述多个参考电压包括第一参考电压,
其中,所述多个电源电压包括对应于所述第一参考电压的第一电源电压,
其中,所述比较器将所述多个参考电压中的每一个与对应于所述多个参考电压中的每一个的多个电源电压进行比较,
其中,所述比较器将基于所述第一修整代码修整的第一电源电压与所述第一参考电压进行比较,并且输出第二比较结果,以及
其中,所述逻辑电路基于所述第二结果来调节所述第一修整代码。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中,所述逻辑电路输出第二修整代码,
其中,所述多个参考电压包括第二参考电压,
其中,所述多个电源电压包括对应于所述第二参考电压的第二电源电压,
其中,所述比较器将基于所述第二修整代码修整的第二电源电压与所述第二参考电压进行比较,并且输出第三比较结果,以及
其中,所述逻辑电路基于所述第三结果来调节所述第二修整代码。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中,所述电源电路被配置为基于所述第一修整代码生成所述第一电源电压,
其中,所述逻辑电路改变所述第一修整代码以改变所述第一电源电压,以及
其中,所述第一电源电压与所述第一参考电压匹配时的所述第一修整代码被确定为经调节的修整代码。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中,所述逻辑电路递增或递减所述第一修整代码以升高或降低所述第一电源电压。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:
提供能够存储每个经调节的修整代码的寄存器,
其中,所述电压生成电路使用在正常操作中存储在所述寄存器中的每个所述修整代码来生成在半导体存储器器件中使用的每个电源电压。
6.一种半导体器件,包括:
电源电路,包括:参考电流源,生成在修整操作时使用的参考电流;以及操作电流源,生成由半导体存储器件使用的操作电流;
所述半导体存储器件,包括修整电路,所述修整电路在所述修整操作时修整所述操作电流;以及
控制电路,控制所述半导体存储器件中的所述修整操作,
其中,所述修整电路被配置为能够从所述半导体器件的外部输入外部参考电流,以及
其中,在所述修整操作时,所述控制电路使用从所述半导体器件的外部供给的所述外部参考电流来调节所述参考电流,并且然后使用经调节的所述参考电流来确定与所述半导体存储器件使用的所述操作电流源的调节量相对应的修整代码。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,
其中,所述电源电路包括电流源型的第一参考电流源和电流汇型的第二参考电流源作为所述参考电流源,并且包括电流源型的第一操作电流源和电流汇型的第二操作电流源作为所述操作电流源,以及
其中,在所述修整操作时,所述控制电路通过调节所述第二操作电流源的电流值来确定所述修整代码,使得所述第一参考电流源和所述第二操作电流源之间的电流差变得小于预定值,并且通过调节所述第一操作电流源的电流值来确定所述修整代码,使得所述第二参考电流源和所述第一操作电流源之间的电流差变得小于预定值。
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