[发明专利]半导体器件在审
| 申请号: | 201910105848.3 | 申请日: | 2019-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN110120241A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 冈山昌太;神田明彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C29/04 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;董典红 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 参考电压 半导体器件 修整 电源电压 电源电路 参考电压生成电路 半导体存储器件 电压生成电路 电路 外部 申请 | ||
本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括:参考电压生成电路,生成在修整操作时使用的多个参考电压;以及电压生成电路,生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压,并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压,确定与电源电压的调节量对应的修整代码。
2018年2月5日提交的日本专利申请No.2018-018185的公开内容,包括说明书、附图和摘要,通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及一种半导体器件,并且涉及例如包括调节电源电压的功能的半导体器件。
背景技术
在包括闪存存储器的半导体器件中,需要生成用于重写半导体器件内部的闪存存储器的电源电压。然而,在某些情况下,这种电源电压根据要制造的每个半导体器件而变化,因此需要在制造每个半导体器件之后精细调节在每个半导体器件中生成的电源电压。这种技术被称为修整(trimming)技术。
日本未审查专利申请公开No.2007-42838公开了一种技术,其中将从外部提供的参考电压和电荷泵电路的输出电压相互比较,并且将比较结果反馈给修整代码生成电路,以生成与半导体器件内部生成的电源电压的调节量对应的修整代码。
发明内容
如上所述,在日本未审查专利申请公开No.2007-42838中公开的技术中,将从外部提供的参考电压和电荷泵电路的输出电压相互比较,以生成作为在半导体器件内部生成的电源电压的调节量的修整代码。然而,在使用日本未审查专利申请公开No.2007-42838中公开的技术的情况下,当修整多个电源电压时,需要从半导体器件的外部提供与电源电压对应的多个参考电压。因此,半导体器件中的修整的控制变得复杂,并且不利地花费时间来执行修整操作。
根据说明书和附图的描述,其他问题和新颖特征将变得显而易见。
根据实施例的半导体器件在修整操作时使用特定参考电压和外部参考电压来调节特定参考电压,然后使用利用调节的特定参考电压而生成的多个参考电压和对应于所述参考电压的多个电源电压来确定与多个电源电压的调节量对应的修整代码。
根据实施例,可以提供能够简化修整操作的半导体器件。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件器件的配置示例的图。
图2是用于说明根据第一实施例的半导体器件的修整操作的流程图。
图3是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。
图4是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。
图5是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。
图6是用于说明图1所示的半导体存储器件中的修整操作的图。
图7是示出根据第一实施例的半导体器件中设置的半导体存储器件的配置示例的图。
图8是用于说明根据第一实施例的半导体器件的修整操作的细节的流程图。
图9是用于说明根据第一实施例的半导体器件的修整操作的细节的时序图。
图10是示出根据第二实施例的半导体器件的配置示例的框图。
图11是用于说明根据第二实施例的半导体器件的修整操作的流程图。
图12是用于说明根据第二实施例的半导体器件的修整操作的框图。
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