[发明专利]一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法有效
| 申请号： | 201910098935.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109817559B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周华芳 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，属于半导体测量技术领域，方法包括以下步骤：S01：制作晶圆正面对准标记，并进行晶圆正面工艺制作；S02：翻转晶圆，制作背面对准标记；S03：测量晶圆正面对准标记到晶圆背面对准标记的偏差距离、晶圆背面对准标记到晶圆圆心距离与晶圆正面对准标记到晶圆圆心距离之间的夹角即偏差角度，光刻机台根据偏差距离、偏差角度进行补偿，再重新制作晶圆背面对准标记；S04：光刻机台根据测量到的晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty进行补偿，再根据晶圆工艺流程要求制作晶圆背面工艺。本发明具有工艺方法简单、便捷、精度高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 加工 双面 对准 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述方法适用于不具有双面对准功能的光刻机台对晶圆进行双面工艺制作，包括以下步骤：制作晶圆正面对准标记，并进行晶圆正面工艺制作；翻转晶圆，制作背面对准标记；测量晶圆正面对准标记到晶圆背面对准标记的偏差距离、晶圆背面对准标记到晶圆圆心距离与晶圆正面对准标记到晶圆圆心距离之间的夹角即偏差角度，光刻机台根据偏差距离、偏差角度进行补偿，再重新制作晶圆背面对准标记；光刻机台根据测量到的晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty进行补偿，再根据晶圆工艺流程要求制作晶圆背面工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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