[发明专利]一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法

说明书

本发明公开了一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，属于半导体测量技术领域，方法包括以下步骤：S01：制作晶圆正面对准标记，并进行晶圆正面工艺制作；S02：翻转晶圆，制作背面对准标记；S03：测量晶圆正面对准标记到晶圆背面对准标记的偏差距离、晶圆背面对准标记到晶圆圆心距离与晶圆正面对准标记到晶圆圆心距离之间的夹角即偏差角度，光刻机台根据偏差距离、偏差角度进行补偿，再重新制作晶圆背面对准标记；S04：光刻机台根据测量到的晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty进行补偿，再根据晶圆工艺流程要求制作晶圆背面工艺。本发明具有工艺方法简单、便捷、精度高的特点。

技术领域

本发明涉及半导体测量技术领域，尤其涉及一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法。

背景技术

目前在半导体制作工艺过程中，经常涉及晶圆的双面加工，双面加工的对准精度极大的影响产品的质量。但目前对晶圆进行双面加工的光刻机台不具有双面对准功能，晶圆要实现正反面光刻工艺皆在该机台上进行，就需要一种良好的双面对准工艺，以实现正反面加工的对准精度。

目前还有一种方法是通过对光刻机台单独配置背面对准装置，显而易见地，这样大大的增加了设备的运行成本。

综上所述，不具有双面对准功能的光刻机台对晶圆进行双面工艺制作过程中-一种双面对准方法的发明显得十分有必要。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中不具有双面对准功能的光刻机台无法保证晶圆进行双面工艺制作的对准精度的问题，提供了一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，所述方法适用于不具有双面对准功能的光刻机台对晶圆进行工艺制作，包括以下步骤：

S01：制作晶圆正面对准标记，并进行晶圆正面工艺制作；

S02：翻转晶圆，制作背面对准标记；

S03：测量晶圆正面对准标记到晶圆背面对准标记的偏差距离、晶圆背面对准标记到晶圆圆心距离与晶圆正面对准标记到晶圆圆心距离之间的夹角即偏差角度，光刻机台根据偏差距离、偏差角度进行补偿，再重新制作晶圆背面对准标记；

S04：光刻机台根据测量到的晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty进行补偿，再根据晶圆工艺流程要求制作晶圆背面工艺。

具体地，所述光刻机是不具有双面对准功能的ASML光刻机台。

具体地，所述正面对准标记的制作包括以下子步骤：

在与晶圆平边平行的过晶圆中心点的晶圆中心线上设置左右两个到晶圆圆心等距的正面对准标记。

具体地，所述正面对准标记的制作还包括以下方法：

在与晶圆平边垂直的过晶圆中心点的晶圆中心线上设置左右两个到晶圆圆心等距的正面对准标记。

具体地，所述晶圆背面对准标记的制作方法与晶圆正面对准标记的制作方法相同。

具体地，正面对准标记到晶圆圆心的距离与所述背面对准标记到晶圆圆心的距离相等。

具体地，所述正面工艺包括光刻工艺、蚀刻工艺、CVD工艺、PVD工艺、IMP工艺。

具体地，所述晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记的偏差距离、偏差角度及在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty的测量包括采用双面显微镜进行测量。

具体地，所述偏差距离的测量还包括以下步骤：

以正面对准标记为原点，双面显微镜中的量测十字叉放在正面对准标记中心，并观察十字叉在背面对准标记的位置，测量出正面对准标记与背面对准标记的偏差距离d。