[发明专利]一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法

权利要求书

1.一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述方法适用于不具有双面对准功能的光刻机台对晶圆进行双面工艺制作，包括以下步骤：

制作晶圆正面对准标记，并进行晶圆正面工艺制作；

翻转晶圆，制作背面对准标记；

测量晶圆正面对准标记到晶圆背面对准标记的偏差距离、晶圆背面对准标记到晶圆圆心距离与晶圆正面对准标记到晶圆圆心距离之间的夹角即偏差角度，光刻机台根据偏差距离、偏差角度进行补偿，再重新制作晶圆背面对准标记；

光刻机台根据测量到的晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty进行补偿，再根据晶圆工艺流程要求制作晶圆背面工艺。

2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述对准标记的制作包括以下子步骤：

在与晶圆平边平行的过晶圆中心点的晶圆中心线上设置左右两个到晶圆圆心等距的对准标记。

3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述对准标记的制作还包括以下方法：

在与晶圆平边垂直的过晶圆中心点的晶圆中心线上设置左右两个到晶圆圆心等距的对准标记。

4.根据权利要求1所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述正面对准标记到晶圆圆心的距离与所述背面对准标记到晶圆圆心的距离相等。

5.根据权利要求1所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述正面工艺包括光刻工艺、蚀刻工艺、CVD工艺、PVD工艺、IMP工艺。

6.根据权利要求1所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记的偏差距离、偏差角度及在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty的测量包括采用双面显微镜进行测量。

7.根据权利要求1所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述偏差距离的测量还包括以下步骤：

以正面对准标记为原点，双面显微镜中的量测十字叉放在正面对准标记中心，并观察十字叉在背面对准标记的位置，测量出正面对准标记与背面对准标记的偏差距离d。

8.根据权利要求7所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述偏差角度的计算公式为：

tanа＝d/L

其中，а为偏差角度，L为晶圆正面对准标记到圆心的距离。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述晶圆为平边晶圆。

10.根据权利要求1-8任意一项所述的一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，其特征在于：所述方法也适用于通过连接任意一非平边上的两点建立虚拟平边的非平边晶圆。