[发明专利]一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 201910073332.5 申请日: 2018-05-29
公开(公告)号: CN110165035B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 张娟 申请(专利权)人: 浙江实利合新材料科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/60
代理公司: 北京华识知识产权代理有限公司 11530 代理人: 乔浩刚
地址: 311800 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法,包括如下步骤:将金属热沉焊接在封装支架,并固定芯片点位;安装芯片的封装支架送入回流炉进行回流焊接;用进行芯片正负极和封装支架上金属管脚连接,将金属管脚焊接在封装支架上;进行芯片表面的半球硅胶的点胶,并安装反光杯和负透镜的整体连接结构。进一步提供了新型的半导体二极管芯片封装形式,避免传统封装中的诸多问题同时提高了芯片的出光量。
搜索关键词: 一种 半导体 二极管 芯片 封装 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:S100、将金属热沉焊接在封装支架,并固定芯片点位;S200、安装芯片的封装支架送入回流炉进行回流焊接;S300、用进行芯片正负极和封装支架上金属管脚连接,将金属管脚焊接在封装支架上;S400、进行芯片表面的半球硅胶的点胶,并安装反光杯和负透镜的整体连接结构。
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