[发明专利]一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

S100、将金属热沉焊接在封装支架，并固定芯片点位；

S200、安装芯片的封装支架送入回流炉进行回流焊接；

S300、用进行芯片正负极和封装支架上金属管脚连接，将金属管脚焊接在封装支架上；

S400、进行芯片表面的半球硅胶的点胶，并安装反光杯和负透镜的整体连接结构；

在步骤S100中包括如下步骤：

S101、在焊接金属热沉之前，将芯片在金属热沉上的位置进行预安装，后在芯片的正负极键合点位置进行点位，且所述点位位置位于金属热沉环形凹槽的外圈表面；

S102、并在金属热沉顶部表面的点位上进行电性孔的冲孔，同时进行金属热沉的侧面的冲孔，使得电性孔连通；

S103、将金属管脚的一端安装在金属热沉的侧面冲孔中，将内键合线分别焊接在芯片的正负极上；

S104、将芯片固定在弧形凹槽的内圈中间，进行芯片和金属热沉之间的点焊固定。

2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于：在步骤S200步骤中，对金属热沉和封装支架的点焊中，点涂的焊料面积在金属热沉被压片后占芯片面积的7/10。

3.根据权利要求1所述的一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于：在步骤S400中，存在以下步骤：

S401、将反光杯底部套装在金属热沉上，且使得金属热沉在反光杯底部中心位置；

S402、用点胶机在芯片表面进行半球硅胶的点胶；

S403、待半球硅胶冷却定性后，进行负透镜和反光杯塑型，同时在负透镜和反光杯之间接触面填充银反射面，并使得负透镜和反光杯顶部保持水平；

S403、在负透镜顶部设置有金属半球体，待热融状的负透镜冷却成形后，取出金属半球体；

S404、进行荧光粉层的制备，被将荧光粉层嵌入负透镜的顶部，再进行荧光粉层顶部的顶封弧面和负透镜顶部的融合，在融合的同时抽空金属半球体形成的空腔内部的空气。