[发明专利]一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法，包括如下步骤：将金属热沉焊接在封装支架，并固定芯片点位；安装芯片的封装支架送入回流炉进行回流焊接；用进行芯片正负极和封装支架上金属管脚连接，将金属管脚焊接在封装支架上；进行芯片表面的半球硅胶的点胶，并安装反光杯和负透镜的整体连接结构。进一步提供了新型的半导体二极管芯片封装形式，避免传统封装中的诸多问题同时提高了芯片的出光量。

技术领域

本发明涉及半导体二极管领域，具体为一种半导体二极管芯片封装结构及其制作方法。

背景技术

在半导体二极管领域，LED作为重要的光电子二极管，LED技术正逐步取代传统照明技术和荧光技术进入到照明领域，同时LED芯片也因其同时具备电子器件的特性，除了照明应用，更开辟了许多全新的应用领域，在对流明值得更高追求和对产业制造成本的不断压缩的过程中，发光二极管的倒装应用，已被普遍认为是行业趋势，倒装发光二极管芯片是利于大电流来获取更高的流明值，并用热沉更接近半导体有源区的焊接方式来改善芯片的热传导，传统的正装结构LED技术被慢慢淘汰，取而代之的是可靠性更好，流明密度更大的倒装结构的LED技术，在倒装二极管芯片焊接过程中因为电极面朝下，芯片与焊接点的对准是需要更精准的封装设备投入，而且同平面、小间隔的正负电极排布，在焊接中也容易出现焊料互溢导致的芯片短路。

同时现有的半导体二极管芯片的封装过程中大多采用环氧树脂的封装方式，半导体二极管芯片内通过硅胶滴胶的方式进行固晶，而在硅胶的滴胶过程中产生的荧光粉的沉降使得封装效果参差不齐，LED的出光效果难以得到很好的控制，倒装结构的LED灯在进行芯片正负极连接时，连接线路过长，容易影响封装的准确性。

发明内容

为了克服现有技术方案的不足,本发明提供一种半导体二极管芯片封装结构及其制作方法，能有效的解决背景技术提出的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种半导体二极管芯片封装结构及其制作方法，包括半导体二极管芯片、封装支架以及安装在封装支架上的反光杯，反光杯的内底部的封装支架表面中间上焊接有金属热沉，所述半导体二极管芯片安装在金属热沉上，所述封装支架表面两端设置有金属管脚，且所述金属管脚的一端通过点焊层连接在封装支架上，所述金属管脚的另一端延伸入金属热沉中，所述金属热沉内部设置有电性孔，且所述半导体二极管芯片通过穿过电性孔的内键合线连接在金属管脚上，所述半导体二极管芯片表面设置有半球硅胶，所述半球硅胶和反光杯之间设置有负透镜，位于半球硅胶的顶部的负透镜中设置有半球真空腔，所述半球真空腔的顶部设置有平面荧光粉层，且所述平面荧光分层顶部设置有和负透镜一体连接的顶封弧面。

进一步地，所述负透镜和反光杯的接触面上设置有银反射层。

进一步地，所述金属热沉上表面设置有环形凹槽，所述反光杯底部通过透明封胶层和封装支架的上表面连接固定。

进一步地，所述半导体二极管芯片包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设置有方形的封装绝缘层，所述封装绝缘层内部的蓝宝石衬底上填充有若干个主芯片单元，且相邻的所述主芯片单元之间设置有细缝槽，所述主芯片单元包括第一金属盘，所述第一金属盘一侧设置有第二金属盘，所述第二金属盘和第一金属盘之间设置有环形绝缘层，相邻的两个主芯片单元上的第二金属盘安装位置相反，所述环形绝缘层的两端连接在封装绝缘层上，所述细缝槽中设置有连接桥，所述连接桥上设置有微芯片。

进一步地，所述主芯片单元还包括和蓝宝石衬底的表面接触的导电薄膜层，所述导电薄膜层上设置有第一电致层，所述第一电致层上设置有半导体层，所述半导体层上设置有第二电致层，所述第二电致层和第一金属盘之间设置有缓冲层，所述封装绝缘层向内平铺在第一电致层和第一金属盘之间，且所述导电薄膜层和第二电致层之间通过导电微片欧姆连接，且所述导电微片连接在第二金属盘上，所述环形绝缘层内向平铺在导电微片和半导体层的接触面。

本发明还提供了一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法，包括如下步骤：